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SI4505DY-T1-E3 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | Vishay Siliconix | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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SI4505DY-T1-E3参数 产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列 说明:MOSFET N/P-CH 8-SOIC 包装数量:2500 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):30V,8V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A,3.8A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:18 毫欧 @ 7.8A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):1.8V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 5V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.2W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: D-SubMDM-31SH005L Linear - LMX321AXK T 保险丝座HTB-66M-R 振荡器CE3391-6.176 圆形CA07A32A10SB AC DC 转换器MP6-1E-1Q-1Q-1Q-4LN-00 DC DC ConVE-JWX-MX 光隔离器 - 晶体LTV-814HS 矩形H3DDH-4018M Card EdgeHMC35DRTS |