| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SI4505DY-T1-E3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI4505DY-T1-E3参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSFET N/P-CH 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：30V，8V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A，3.8A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18 毫欧 @ 7.8A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 5V 输入电容 (Ciss) @ Vds：- 功率 - 最大：1.2W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： PMIC - 稳压LM2931CM 圆形MS3100A28-6P PMIC - 稳压UC2832TDWEP 圆形MS27497T22F21S 逻辑 - 栅极和逆SN74AHCT14N 钽电容器592D475X9035R2T15H 芯片电阻 - 表面MCR10EZPF3602 陶瓷电容器0805YC103KAT4A 圆形CA3106E28-12SW TVS - 二极管PESD5V0V1BSF,315 |
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